Flux de traitement d'ingot de silicium monocristallin
- A single-crystal silicon ingot goes through cropping, rectification du diamètre, Trancher, chanfreinage des bords, lapping and polishing before it is ready for lithography.
- Surface accuracy at the slicing stage determines how much downstream planarization work is required.
- Diamond wire slicing is the standard way to turn an ingot into bare wafers with tight thickness variation and low sub-surface damage.
À l’étape de préparation de la plaquette de silicium monocristallin, les lingots monocristallins de silicium doivent être transformés en plaquettes de silicium brut ou en barewa-fers avec une précision de surface et une qualité de surface élevées pour se préparer à la planarisation pour la lithographie et d’autres processus dans la première moitié du processus IC. Une surface de substrat ultra-lisse et sans dommage est requise ici.
Pour les plaquettes de silicium d’un diamètre de ≤200 mm, Le processus traditionnel de traitement des plaquettes de silicium est:
Croissance monocristalline → découpage → meulage du diamètre extérieur du lingot → traitement des bords plats ou rainure en V → tranchage → chanfreinage → meulage → gravure → polissage → nettoyage → emballage .
Outer diameter grinding: Since the outer diameter surface of the single crystal silicon rod is not flat and the diameter is larger than the specified diameter specification of the final polished wafer, a more accurate diameter can be obtained by outer diameter rolling.
Flat edge or V-groove processing: Il est spécifié qu'il doit être traité jusqu'au plan de référence, et le bord plat ou la rainure en V avec une direction cristallographique spécifique sur le Silicium monocristallin support.
Tranchage: fait référence à la découpe d'un cristal simple en fines tranches avec des dimensions géométriques précises.
Chanfreinage: fait référence à l'élagage du bord tranchant de la plaquette découpée en une forme arquée pour éviter les fissures du bord de la plaquette et les défauts de qualité
Broyage: fait référence à l'élimination des marques de scie et des couches de dommages en surface causées par le découpage et le meulage à la roue par meulage, modifiant efficacement la déformation, la planéité et le parallélisme d'une plaquette de silicium produit unique, et atteignant les spécifications pouvant être traitées par un processus de polissage.
Questions fréquemment posées
What are the main steps in single-crystal silicon ingot processing?
The typical flow is cropping to length, grinding to precise diameter, slicing into wafers, chanfreinage des bords, then lapping, etching and polishing to reach the surface quality lithography requires.
Why is slicing done with diamond wire?
Diamond wire gives a narrow kerf, low mechanical damage and high yield per ingot, which keeps both material loss and downstream planarization cost low.
What is a bare wafer?
A bare wafer is the as-sliced wafer before final polishing or epitaxy. It must already meet strict surface accuracy and flatness specifications.
Contenu technique examiné par l'équipe d'ingénierie d'Ensoll — un fabricant de boucles de fil diamanté avec 10+ des années d'expérience en production.
