Processamento de Lingotes de Silício na Indústria de Semicondutores

Na etapa de preparação do wafer de silício monocristal, os lingotes de silício precisam ser processados em wafers de silício brutos ou barewa-fers com alta precisão e qualidade de superfície para se preparar para a planarização para litografia e outros processos na primeira metade do processo de IC. Superfície de substrato ultra-lisa e sem danos é necessária aqui.

Para pastilhas de silício com diâmetro de ≤200 mm, O processo tradicional de processamento de wafer de silício é:

crescimento de cristal único → corte → diâmetro externo moagem de barril → borda plana ou tratamento de ranhura em V → wafering → chanfro → moagem → gravação → polimento → limpeza → embalagem .

Corte : O objetivo é cortar a cabeça e a cauda do lingote de silício de cristal único e a parte que excede a especificação do cliente, segment the single crystal silicon rod into the length that the slicing equipment can handle, e corte a peça de teste para medir a resistividade e o teor de oxigênio da haste de silício de cristal único. quantidade.

Este processo tradicionalmente usa uma serra de fita diamantada ou um único fio diamantado para truncar. Nos últimos anos, Uma substituição em larga escala do equipamento de truncamento tradicional surgiu após o surgimento do corte sem fim de fio diamantado .

Retificação de diâmetro externo: Uma vez que a superfície do diâmetro externo da haste de silício de cristal único não é plana e o diâmetro é maior do que a especificação de diâmetro especificada do wafer polido final, Um diâmetro mais preciso pode ser obtido por laminação de diâmetro externo.

Processamento de borda plana ou ranhura em V: Ele é especificado para ser processado no plano de referência, and the flat edge or V-groove with a specific crystallographic direction on the silício monocristalino holder.

Bolacha: refere-se ao corte de uma haste de silício de cristal único em fatias finas com dimensões geométricas precisas.

Chanfrando: refere-se ao corte da borda afiada do wafer cortado em forma de arco para evitar rachaduras na borda do cavaco e defeitos de qualidade

Esmerilhação: refere-se à remoção de marcas de serra e camadas de danos superficiais causados por fatiamento e retificação por retificação, Alterando efetivamente o empenamento, Planicidade e paralelismo de um wafer de silício de produto único, e atingir as especificações que podem ser tratadas por um processo de polimento.

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This is the stage immediately before wafer slicing, and it decides how much of the ingot is usable.

Perguntas Frequentes

What is the processing flow of silicon ingots in the semiconductor industry?

Ingots are cropped to length, ground to precise diameter, sliced into wafers, edge-chamfered, then lapped, etched and polished to the surface quality that lithography requires.

Why is slicing a critical step in ingot processing?

Slicing determines the wafer’s thickness variation and sub-surface damage, which sets how much lapping and polishing is needed to reach an ultra-smooth, damage-free surface.

Conteúdo técnico revisto pela equipa de engenharia da Ensoll — um fabricante de laços de fio de diamante com 10+ anos de experiência em produção.