Single Crystal Silicon Ingot Processing Flow
- A single-crystal silicon ingot goes through cropping, diameter grinding, Cortar, edge chamfering, lapping and polishing before it is ready for lithography.
- Surface accuracy at the slicing stage determines how much downstream planarization work is required.
- Diamond wire slicing is the standard way to turn an ingot into bare wafers with tight thickness variation and low sub-surface damage.
Na etapa de preparação do wafer de silício monocristal, the silicon single-crystal ingots need to be processed into raw silicon wafers or barewa-fers with high surface accuracy and surface quality to prepare for planarization for lithography and other processes in the first half of the IC process. Superfície de substrato ultra-lisa e sem danos é necessária aqui.
Para pastilhas de silício com diâmetro de ≤200 mm, O processo tradicional de processamento de wafer de silício é:
crescimento de cristal único → corte → diâmetro externo moagem de barril → borda plana ou tratamento de ranhura em V → wafering → chanfro → moagem → gravação → polimento → limpeza → embalagem .
Corte : The purpose is to cut off the head and tail of the single crystal silicon rod and the part that exceeds the customer’s specification, segmente a haste de silício de cristal único no comprimento que o equipamento de fatiamento pode suportar, e corte a peça de teste para medir a resistividade e o teor de oxigênio da haste de silício de cristal único. quantidade. Este processo tradicionalmente usa uma serra de fita diamantada ou um único fio diamantado para truncar. Nos últimos anos, a large-scale replacement of traditional truncation equipment has emerged after the emergence of annular diamond wire.
Retificação de diâmetro externo: Since the outer diameter surface of the single crystal silicon rod is not flat and the diameter is larger than the specified diameter specification of the final polished wafer, Um diâmetro mais preciso pode ser obtido por laminação de diâmetro externo.
Processamento de borda plana ou ranhura em V: Ele é especificado para ser processado no plano de referência, and the flat edge or V-groove with a specific crystallographic direction on the silício monocristalino holder.
Bolacha: refere-se ao corte de uma haste de silício de cristal único em fatias finas com dimensões geométricas precisas.
Chanfrando: refere-se ao corte da borda afiada do wafer cortado em forma de arco para evitar rachaduras na borda do cavaco e defeitos de qualidade
Esmerilhação: refere-se à remoção de marcas de serra e camadas de danos superficiais causados por fatiamento e retificação por retificação, Alterando efetivamente o empenamento, Planicidade e paralelismo de um wafer de silício de produto único, e atingir as especificações que podem ser tratadas por um processo de polimento.
Perguntas Frequentes
What are the main steps in single-crystal silicon ingot processing?
The typical flow is cropping to length, grinding to precise diameter, slicing into wafers, edge chamfering, then lapping, etching and polishing to reach the surface quality lithography requires.
Why is slicing done with diamond wire?
Diamond wire gives a narrow kerf, low mechanical damage and high yield per ingot, which keeps both material loss and downstream planarization cost low.
What is a bare wafer?
A bare wafer is the as-sliced wafer before final polishing or epitaxy. It must already meet strict surface accuracy and flatness specifications.
Conteúdo técnico revisto pela equipa de engenharia da Ensoll — um fabricante de laços de fio de diamante com 10+ anos de experiência em produção.
