Silicon Ingot Processing in Semiconductor Industry
- In semiconductor wafer preparation, single-crystal silicon ingots are processed into bare wafers with high surface accuracy for lithography.
- The ingot processing flow includes cropping, reibend, in Scheiben schneidend, Abschrägen, lapping and polishing, with slicing quality setting downstream workload.
In der Phase der Herstellung von einkristallinen Siliziumwafern, Die Siliziumbarren müssen mit hoher Oberflächengenauigkeit und Oberflächenqualität zu Rohsiliziumwafern oder Barewa-fers verarbeitet werden, um die Planarisierung für die Lithographie und andere Prozesse in der ersten Hälfte des IC-Prozesses vorzubereiten. Hier ist eine ultraglatte und beschädigungsfreie Substratoberfläche gefragt.
Für Siliziumwafer mit einem Durchmesser von ≤200mm, Der traditionelle Prozess der Silizium-Wafer-Verarbeitung ist:
Einkristallzüchtung → Zuschneiden → Außendurchmesser Trommelschleifen → Flachkanten- oder V-Nut-Behandlung → Wafern → Anfasen → Schleifen → Ätzen → Polieren → Reinigen → Verpackungen .
Bebauend : Der Zweck besteht darin, den Kopf und das Ende des einkristallinen Siliziumbarrens und des Teils, der die Spezifikation des Kunden überschreitet, abzuschneiden, segment the single crystal silicon rod into the length that the slicing equipment can handle, und schneiden Sie die Probe ab, um den spezifischen Widerstand und den Sauerstoffgehalt des einkristallinen Siliziumstabs zu messen. Menge.
Bei diesem Verfahren wird traditionell eine Diamantbandsäge oder ein einzelner Diamantdraht zum Abschneiden verwendet. In den letzten Jahren, Nach dem Aufkommen des endlosen Diamantdrahtschneidens ist ein großflächiger Ersatz für herkömmliche Stumpfgeräte entstanden .
Schleifen des Außendurchmessers: Da die Oberfläche des Außendurchmessers des einkristallinen Siliziumstabs nicht flach ist und der Durchmesser größer ist als die angegebene Durchmesserspezifikation des endgültig polierten Wafers, Ein genauerer Durchmesser kann durch Walzen des Außendurchmessers erreicht werden.
Flachkanten- oder V-Nut-Bearbeitung: Es ist spezifiziert, dass es auf der Referenzebene verarbeitet werden soll, and the flat edge or V-groove with a specific crystallographic direction on the monokristallines Silizium holder.
Waffeln: bezieht sich auf das Schneiden eines einkristallinen Siliziumstabs in dünne Scheiben mit präzisen geometrischen Abmessungen.
Abschrägen: bezieht sich auf das Beschneiden der scharfen Kante des geschnittenen Wafers in eine Bogenform, um Risse in der Spankante und Qualitätsmängel zu vermeiden
Reibend: bezieht sich auf die Entfernung von Sägespuren und Oberflächenschädigungsschichten, die durch das Schneiden und Schleifen von Scheiben durch Schleifen verursacht werden, Effektives Verändern des Verzugs, Ebenheit und Parallelität eines Silizium-Wafers mit einem einzigen Produkt, und das Erreichen der Spezifikationen, die durch einen Polierprozess bewältigt werden können.
Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen
This is the stage immediately before Wafer-Schneidstory, and it decides how much of the ingot is usable.
Häufig gestellte Fragen
What is the processing flow of silicon ingots in the semiconductor industry?
Ingots are cropped to length, ground to precise diameter, sliced into wafers, edge-chamfered, then lapped, etched and polished to the surface quality that lithography requires.
Why is slicing a critical step in ingot processing?
Slicing determines the wafer’s thickness variation and sub-surface damage, which sets how much lapping and polishing is needed to reach an ultra-smooth, damage-free surface.
Technische Inhalte geprüft vom Ensoll-Engineering-Team – einem Hersteller von Diamantdraht-Schleifen 10+ Jahre der Produktionserfahrung.
