Silizium-Barrenverarbeitung in der Halbleiterindustrie

In der Phase der Herstellung von einkristallinen Siliziumwafern, Die Siliziumbarren müssen mit hoher Oberflächengenauigkeit und Oberflächenqualität zu Rohsiliziumwafern oder Barewa-fers verarbeitet werden, um die Planarisierung für die Lithographie und andere Prozesse in der ersten Hälfte des IC-Prozesses vorzubereiten. Hier ist eine ultraglatte und beschädigungsfreie Substratoberfläche gefragt.

Für Siliziumwafer mit einem Durchmesser von ≤200mm, Der traditionelle Prozess der Silizium-Wafer-Verarbeitung ist:

Einkristallzüchtung → Zuschneiden → Außendurchmesser Trommelschleifen → Flachkanten- oder V-Nut-Behandlung → Wafern → Anfasen → Schleifen → Ätzen → Polieren → Reinigen → Verpackungen .

Bebauend : Der Zweck besteht darin, den Kopf und das Ende des einkristallinen Siliziumbarrens und des Teils, der die Spezifikation des Kunden überschreitet, abzuschneiden, segmente den Einkristall Siliziumstab in die Länge, die die Schneidausrüstung bewältigen kann, und schneiden Sie die Probe ab, um den spezifischen Widerstand und den Sauerstoffgehalt des einkristallinen Siliziumstabs zu messen. Menge.

Bei diesem Verfahren wird traditionell eine Diamantbandsäge oder ein einzelner Diamantdraht zum Abschneiden verwendet. In den letzten Jahren, Nach dem Aufkommen des endlosen Diamantdrahtschneidens ist ein großflächiger Ersatz für herkömmliche Stumpfgeräte entstanden .

Schleifen des Außendurchmessers: Da die Oberfläche des Außendurchmessers des einkristallinen Siliziumstabs nicht flach ist und der Durchmesser größer ist als die angegebene Durchmesserspezifikation des endgültig polierten Wafers, Ein genauerer Durchmesser kann durch Walzen des Außendurchmessers erreicht werden.

Flachkanten- oder V-Nut-Bearbeitung: Es ist spezifiziert, dass es auf der Referenzebene verarbeitet werden soll, und die flache Kante oder V-Nut mit einer bestimmten kristallographischen Richtung auf dem monokristallines Silizium Halter.

Waffeln: bezieht sich auf das Schneiden eines einkristallinen Siliziumstabs in dünne Scheiben mit präzisen geometrischen Abmessungen.

Abschrägen: bezieht sich auf das Beschneiden der scharfen Kante des geschnittenen Wafers in eine Bogenform, um Risse in der Spankante und Qualitätsmängel zu vermeiden

Reibend: bezieht sich auf die Entfernung von Sägespuren und Oberflächenschädigungsschichten, die durch das Schneiden und Schleifen von Scheiben durch Schleifen verursacht werden, Effektives Verändern des Verzugs, Ebenheit und Parallelität eines Silizium-Wafers mit einem einzigen Produkt, und das Erreichen der Spezifikationen, die durch einen Polierprozess bewältigt werden können.

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Dies ist das Stadium unmittelbar davor Wafer-Schneidstory, und es entscheidet, wie viel vom Ingot nutzbar ist.

Häufig gestellte Fragen

Wie ist der Verarbeitungsablauf von Siliziumingots in der Halbleiterindustrie?

Ingots werden auf Länge zugeschnitten, auf den präzisen Durchmesser geschliffen, in Wafer geschnitten, Kanten gefast, dann plangeschliffen, geätzt und poliert, um die Oberflächenqualität zu erreichen, die die Lithographie erfordert.

Warum ist das Schneiden ein kritischer Schritt bei der Ingotverarbeitung?

Das Schneiden bestimmt die Dickenabweichung des Wafers und die Sub-Oberflächenbeschädigung, which sets how much lapping and polishing is needed to reach an ultra-smooth, damage-free surface.

Technische Inhalte geprüft vom Ensoll-Engineering-Team – einem Hersteller von Diamantdraht-Schleifen 10+ Jahre der Produktionserfahrung.