Flujo de procesamiento de lingote de silicio monocristalino
- A single-crystal silicon ingot goes through cropping, diameter grinding, Rebanar, edge chamfering, lapping and polishing before it is ready for lithography.
- Surface accuracy at the slicing stage determines how much downstream planarization work is required.
- Diamond wire slicing is the standard way to turn an ingot into bare wafers with tight thickness variation and low sub-surface damage.
En la etapa de preparación de obleas de silicio monocristalino, los lingotes monocristalinos de silicio deben procesarse en obleas de silicio en bruto o barewa-fers con alta precisión y calidad de superficie para prepararse para la planarización para la litografía y otros procesos en la primera mitad del proceso de IC. En este caso, se requiere una superficie de sustrato ultralisa y sin daños.
Para obleas de silicio con un diámetro de ≤200 mm, El proceso tradicional de procesamiento de obleas de silicio es:
crecimiento de monocristal → recorte → diámetro exterior Esmerilado de barril → tratamiento de borde plano o ranura en V → obleas → biselado → esmerilado → grabado → pulido → limpieza → embalaje .
Cultivo : El propósito es cortar la cabeza y la cola de la varilla de silicio monocristalino y la parte que exceda las especificaciones del cliente, Segmente la varilla de silicio monocristalino en la longitud que pueda manejar el equipo de corte, y corte la pieza de prueba para medir la resistividad y el contenido de oxígeno de la varilla de silicio monocristalino. cantidad. Este proceso utiliza tradicionalmente una sierra de cinta de diamante o un solo alambre de diamante para truncar. En los últimos años, Ha surgido un reemplazo a gran escala del equipo de truncamiento tradicional después de la aparición del alambre de diamante anular.
Molienda del diámetro exterior: Since the outer diameter surface of the single crystal silicon rod is not flat and the diameter is larger than the specified diameter specification of the final polished wafer, Se puede obtener un diámetro más preciso mediante el laminado del diámetro exterior.
Procesamiento de borde plano o ranura en V: Se especifica para ser procesado en el plano de referencia, and the flat edge or V-groove with a specific crystallographic direction on the Silicio monocristalino holder.
Oblea: se refiere a cortar una varilla de silicio de un solo cristal en rodajas finas con dimensiones geométricas precisas.
Chaflanar: se refiere a recortar el borde afilado de la oblea cortada en forma de arco para evitar el agrietamiento del borde de la viruta y los defectos de calidad
Molienda: se refiere a la eliminación de marcas de sierra y capas de daño superficial causadas por el corte y el rectificado de la rueda por esmerilado, Cambiando efectivamente la deformación, Planitud y paralelismo de una oblea de silicio de un solo producto, y alcanzar las especificaciones que pueden ser manejadas por un proceso de pulido.
Preguntas Frecuentes
What are the main steps in single-crystal silicon ingot processing?
The typical flow is cropping to length, grinding to precise diameter, slicing into wafers, edge chamfering, then lapping, etching and polishing to reach the surface quality lithography requires.
Why is slicing done with diamond wire?
Diamond wire gives a narrow kerf, low mechanical damage and high yield per ingot, which keeps both material loss and downstream planarization cost low.
What is a bare wafer?
A bare wafer is the as-sliced wafer before final polishing or epitaxy. It must already meet strict surface accuracy and flatness specifications.
Contenido técnico revisado por el equipo de ingeniería de Ensoll — un fabricante de bucles de hilo de diamante con 10+ años de experiencia en producción.
