Single Crystal Silicon Ingot Processing Flow
- A single-crystal silicon ingot goes through cropping, diameter grinding, разрезание на ломтики, edge chamfering, lapping and polishing before it is ready for lithography.
- Surface accuracy at the slicing stage determines how much downstream planarization work is required.
- Diamond wire slicing is the standard way to turn an ingot into bare wafers with tight thickness variation and low sub-surface damage.
На стадии подготовки монокристаллической кремниевой пластины, кремниевые монокристаллические слитки должны быть переработаны в необработанные кремниевые пластины или бареваферы с высокой точностью поверхности и качеством поверхности для подготовки к планаризации для литографии и других процессов в первой половине процесса ИС. Здесь требуется сверхгладкая и не повреждаемая поверхность подложки.
Для кремниевых пластин диаметром ≤200 мм, Традиционный процесс обработки кремниевых пластин:
Выращивание монокристаллов → обрезка → наружном диаметре Шлифование цилиндра → обработки плоской кромкой или V-образной канавкой → обработки пластин → снятия фасок → шлифования → травления → полировки → очистки → упаковки .
Обрезки : The purpose is to cut off the head and tail of the single crystal silicon rod and the part that exceeds the customer’s specification, Сегментируйте монокристаллический кремниевый стержень на длину, с которой может справиться оборудование для нарезки, и отрежьте испытуемый образец для измерения удельного сопротивления и содержания кислорода в монокристаллическом кремниевом стержне. количество. В этом процессе традиционно используется алмазная ленточная пила или одинарная алмазная проволока для усечения. В последние годы, a large-scale replacement of traditional truncation equipment has emerged after the emergence of annular diamond wire.
Шлифование наружного диаметра: Since the outer diameter surface of the single crystal silicon rod is not flat and the diameter is larger than the specified diameter specification of the final polished wafer, Более точный диаметр может быть получен путем прокатки наружного диаметра.
Обработка плоских кромок или V-образных канавок: Указано, что он должен быть обработан в плоскости привязки, and the flat edge or V-groove with a specific crystallographic direction on the монокристаллический кремний holder.
Wafering: относится к разрезанию монокристаллического кремниевого стержня на тонкие ломтики с точными геометрическими размерами.
Закругление кромок: относится к обрезке острой кромки отрезанной пластины в форме дуги для предотвращения растрескивания кромки стружки и дефектов качества
Шлифование: относится к удалению следов пилы и поверхностных повреждений, вызванных нарезкой и шлифованием круга шлифованием, Эффективное изменение деформации, Плоскостность и параллельность цельнотворной кремниевой пластины, и достижение спецификаций, с которыми можно справиться с помощью процесса полировки.
Часто задаваемые вопросы
What are the main steps in single-crystal silicon ingot processing?
The typical flow is cropping to length, grinding to precise diameter, slicing into wafers, edge chamfering, then lapping, etching and polishing to reach the surface quality lithography requires.
Why is slicing done with diamond wire?
Diamond wire gives a narrow kerf, low mechanical damage and high yield per ingot, which keeps both material loss and downstream planarization cost low.
What is a bare wafer?
A bare wafer is the as-sliced wafer before final polishing or epitaxy. It must already meet strict surface accuracy and flatness specifications.
Технический контент проверен инженерной командой Ensoll — производителя алмазных проволочных петель с 10+ многолетним производственным опытом.
