Single Crystal Silicon Ingot Processing Flow
- A single-crystal silicon ingot goes through cropping, diameter grinding, in Scheiben schneidend, edge chamfering, lapping and polishing before it is ready for lithography.
- Surface accuracy at the slicing stage determines how much downstream planarization work is required.
- Diamond wire slicing is the standard way to turn an ingot into bare wafers with tight thickness variation and low sub-surface damage.
In der Phase der Herstellung von einkristallinen Siliziumwafern, Die einkristallinen Silizium-Ingots müssen mit hoher Oberflächengenauigkeit und Oberflächenqualität zu Rohsiliziumwafern oder Barewa-fers verarbeitet werden, um die Planarisierung für die Lithographie und andere Prozesse in der ersten Hälfte des IC-Prozesses vorzubereiten. Hier ist eine ultraglatte und beschädigungsfreie Substratoberfläche gefragt.
Für Siliziumwafer mit einem Durchmesser von ≤200mm, Der traditionelle Prozess der Silizium-Wafer-Verarbeitung ist:
Einkristallzüchtung → Zuschneiden → Außendurchmesser Trommelschleifen → Flachkanten- oder V-Nut-Behandlung → Wafern → Anfasen → Schleifen → Ätzen → Polieren → Reinigen → Verpackungen .
Bebauend : Der Zweck besteht darin, den Kopf und das Ende des einkristallinen Siliziumstabs und des Teils, der die Kundenspezifikation übertrifft, abzuschneiden, Segmentieren Sie den einkristallinen Siliziumstab in die Länge, die das Schneidegerät verarbeiten kann, und schneiden Sie die Probe ab, um den spezifischen Widerstand und den Sauerstoffgehalt des einkristallinen Siliziumstabs zu messen. Menge. Bei diesem Verfahren wird traditionell eine Diamantbandsäge oder ein einzelner Diamantdraht zum Abschneiden verwendet. In den letzten Jahren, Nach dem Aufkommen des ringförmigen Diamantdrahtes hat sich ein großflächiger Ersatz für traditionelle Trunkierungsanlagen herausgebildet.
Schleifen des Außendurchmessers: Since the outer diameter surface of the single crystal silicon rod is not flat and the diameter is larger than the specified diameter specification of the final polished wafer, Ein genauerer Durchmesser kann durch Walzen des Außendurchmessers erreicht werden.
Flachkanten- oder V-Nut-Bearbeitung: Es ist spezifiziert, dass es auf der Referenzebene verarbeitet werden soll, and the flat edge or V-groove with a specific crystallographic direction on the monokristallines Silizium holder.
Waffeln: bezieht sich auf das Schneiden eines einkristallinen Siliziumstabs in dünne Scheiben mit präzisen geometrischen Abmessungen.
Abschrägen: bezieht sich auf das Beschneiden der scharfen Kante des geschnittenen Wafers in eine Bogenform, um Risse in der Spankante und Qualitätsmängel zu vermeiden
Reibend: bezieht sich auf die Entfernung von Sägespuren und Oberflächenschädigungsschichten, die durch das Schneiden und Schleifen von Scheiben durch Schleifen verursacht werden, Effektives Verändern des Verzugs, Ebenheit und Parallelität eines Silizium-Wafers mit einem einzigen Produkt, und das Erreichen der Spezifikationen, die durch einen Polierprozess bewältigt werden können.
Häufig gestellte Fragen
What are the main steps in single-crystal silicon ingot processing?
The typical flow is cropping to length, grinding to precise diameter, slicing into wafers, edge chamfering, then lapping, etching and polishing to reach the surface quality lithography requires.
Why is slicing done with diamond wire?
Diamond wire gives a narrow kerf, low mechanical damage and high yield per ingot, which keeps both material loss and downstream planarization cost low.
What is a bare wafer?
A bare wafer is the as-sliced wafer before final polishing or epitaxy. It must already meet strict surface accuracy and flatness specifications.
Technical content reviewed by the Ensoll engineering team — a diamond wire loop manufacturer with 10+ Jahre der Produktionserfahrung.
