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Découpe du substrat en carbure de silicium: Guide technique
Introduction to Silicon Carbide Substrate Cutting Key Takeaways Silicon carbide's crystal structure and orientation strongly affect cutting behavior; L'optimisation de la direction de coupe améliore à la fois la qualité et la durée de vie du fil. Les principales méthodes de découpe du SiC — laser, scie multi-fils et boucle de fil diamanté — mettent en balance la vitesse de coupe et les dommages de surface. Pour les substrats en SiC, la découpe avec boucle de fil diamanté offre le meilleur compromis entre qualité de surface, perte de trait et productivité. Carbure de silicium (Sic) a émergé comme un matériau semi-conducteur révolutionnaire, transforming power electronics and high-temperature applications with its superior...


