Silicon Carbide Wafer Applications & Trends
실리콘 카바이드 웨이퍼 적용 및 향후 개발 동향
- Silicon carbide is the main development direction of the power semiconductor industry.
- SiC wafers enable devices that run at higher voltage, frequency and temperature than silicon, cutting energy losses in EVs, fast charging and grid equipment.
- The industry trend is toward larger SiC wafer diameters and lower defect densities.
탄화규소 (원문대로) 전력 반도체 산업의 주요 발전 방향입니다., 전력 장치 제조에 사용하면 전력 사용률을 크게 향상시킬 수 있습니다.. 가까운 장래에, 새로운 에너지 차량은 탄화 규소 전력 장치의 주요 응용 시나리오가 될 것입니다..
전통적인 실리콘 재료와 비교, 탄화규소는 반도체 재료의 세 번째 세대의 전형적인 대표입니다.. 그것은 넓은 대역폭의 특성을 가지고 있습니다., 고온 저항, 고압 저항, 고주파, 고출력 및 방사선 저항.
빠른 스위칭 속도와 고효율의 장점이 있습니다., 제품 전력 소비를 크게 줄일 수 있습니다., 에너지 변환 효율 향상, 제품 볼륨 감소. 그것은 미래에 반도체 칩을 만들기위한 가장 널리 사용되는 기본 재료가 될 것입니다.
실리콘 카바이드 웨이퍼는 절단에 의해 형성된 단결정 플레이크입니다., 연 삭, 연마 및 청소 실리콘 카바이드 결정. 반도체 기판 재료로서, 실리콘 카바이드 웨이퍼는 에피택셜 성장 및 장치 제조를 통해 탄화규소 기반 전력 장치 및 마이크로파 무선 주파수 장치로 만들 수 있습니다.. 그것은 세 번째 세대 반도체 산업의 발전을위한 중요한 기본 재료입니다.
실리콘 카바이드 웨이퍼 컷 SIC 웨이퍼 컷 끝없는 다이아몬드 와이어 루프
다른 저항력에 따르면, 탄화규소 웨이퍼는 전도성 타입과 반절연형으로 나눌 수 있습니다.. 그 중, 전도성 탄화 규소 웨이퍼는 주로 고온 및 고전압 전력 장치를 제조하는 데 사용됩니다., 시장 규모가 큽니다.; 반절연 탄화 규소 기판은 주로 마이크로파 무선 주파수 장치 및 기타 분야에서 사용됩니다.. 5G 통신 네트워크 구축 가속화로, 시장 수요가 크게 증가했습니다..
탄화규소는 다양한 응용 분야를 가지고 있습니다.
넓은 밴드 갭으로 인해, 햇빛에 거의 영향을받지 않는 자외선 감지기 또는 청색광 다이오드를 만드는 데 사용할 수 있습니다.; 그것의 내전압 또는 전기장은 이다 8 실리콘과 갈륨 비소의 시간, 특히 고전압 다이오드와 같은 고전압 및 고전력 장치의 제조에 적합합니다., 파워 트리오드, 및 고출력 마이크로파 장치.
그리고 높은 포화 전자 이동 속도를 갖는다., 다양한 고주파 장치로 만들 수 있습니다. (무선 주파수 및 마이크로파);
탄화 규소는 열의 좋은 도체입니다., 열전도율은 다른 반도체 재료보다 우수합니다., 실리콘 카바이드 장치가 고온에서 잘 작동 할 수있게 해줍니다..
탄화규소 (원문대로) 고출력 장치에 이상적인 재료이며 반도체 산업을위한 첫 번째 세대의 기본 재료입니다.. 현재, 이상 95% 세계의 집적 회로 구성 요소는 실리콘으로 만들어집니다. 전기 자동차 및 5G와 같은 응용 프로그램의 개발과 함께, 고출력에 대한 수요, 고전압, 고주파 장치가 급속히 증가하고 있습니다..
전압이 900V보다 클 때, 실리콘 기반 전력 MOSFET 및 IGBT의 단점이 노출됩니다., 변환 효율성과 같은 여러 측면에서 제한 될 것입니다., 스위칭 주파수, 및 작동 온도.
탄화규소 (원문대로) 큰 밴드 갭이 있습니다. (3 Si의 시간), 높은 열전도율 (3.3 Si 또는 Si의 시간 10 가아스의 시대), 높은 전자 포화 이동성 (2.5 Si의 시간), 높은 고장 전기장 (5 Si 또는 GaAs의 시간), 등.
그것은 고열과 같은 극한 환경에서 널리 사용됩니다., 고압, 고주파, 고출력 전자 장치, 항공 우주, 군사 산업, 그리고 핵 에너지.
Demand growth here is tightly linked to yield in silicon carbide cutting, since kerf loss is the main cost driver.
자주 묻는 질문
What are silicon carbide wafers used for?
SiC wafers are the substrate for power semiconductor devices used in electric vehicle inverters, fast chargers, rail traction and high-voltage grid equipment.
Why is SiC replacing silicon in power electronics?
SiC devices operate at higher voltage, frequency and temperature with much lower switching losses, which shrinks cooling and raises system efficiency.
What is the future trend of SiC wafers?
The industry is moving to larger diameters (from 150 mm toward 200 밀리미터) and lower defect densities to cut device cost and improve yield.
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